Транзистори pnp та npn - це два основних типи біполярних транзисторів, які широко використовуються в електронних схемах. Вони є ключовими елементами багатьох пристроїв, включаючи підсилювачі, обчислювальні системи та електронні перемикачі.
Ось основні відмінності між транзисторами pnp та npn:
1. Полярність струму: Основна відмінність транзисторів pnp від NPN полягає в полярності струму. У транзисторі pnp струм тече від основи до випромінювача, тоді як у транзисторі NPN струм тече від випромінювача до основи. Це важливо враховувати при виборі відповідного транзистора для конкретної схеми.
2. Робоча напруга: Ще одна суттєва різниця між транзисторами pnp та npn пов'язана з їх робочою напругою. Транзистори pnp зазвичай працюють з позитивною напругою, тоді як транзистори npn працюють з негативною напругою. Це важливо враховувати при проектуванні електронних схем і підборі відповідних компонентів.
3. Напруга перемикання: Транзистори pnp і npn також мають різну напругу перемикання. У транзисторі pnp Напруга перемикання становить близько 0,7 В, а в транзисторі npn - близько 0,3 в. Це важливо враховувати при правильній роботі транзисторів в схемах.
4. Докладання: Залежно від вимог конкретної схеми, можливо, вам доведеться вибрати транзистор pnp або npn. Транзистори pnp часто використовуються в пристроях з позитивним джерелом живлення, а транзистори npn - у пристроях з негативним джерелом живлення. Обидва типи транзисторів мають свої переваги та недоліки, і вибір залежить від конкретних вимог та обмежень вашої схеми.
Тепер, коли ви знаєте основні відмінності між транзисторами pnp та npn, ви можете застосувати ці знання при розробці та складанні електронних схем, щоб уникнути неправильного підбору компонентів та забезпечити надійне функціонування вашого пристрою.
Транзистори PNP та NPN: важливі відмінності
Основна відмінність транзисторів pnp від NPN полягає в полярності струмів і напруг, що використовуються в їх схемах.
Транзистор pnp має три шари напівпровідникового матеріалу, утворюючи два p-типи та один N-тип. При роботі струми і напруги прикладаються до двох p-шарів, а колектор утворюється з n-типу. Струм електронів тече від основи до випромінювача, тому транзистори pnp вважаються "приймачами".
Транзистор npn, навпаки, має три шари, що утворюють два N-типи і один P-тип. Струм електронів тече від випромінювача до основи, а транзистори npn вважаються "джерелами". Колектор в NPN-транзисторі також утворюється з p-типу, але при роботі струм протікає до колектора.
Ще одна важлива відмінність полягає в значенні напруги між базою і емітером, яке необхідно для пропуску струму через транзистор.
У транзисторі pnp, щоб перевести транзистор з вимкненого стану у відкрите, база-емітерна напруга повинна бути трохи вище, ніж база-колекторна напруга.
У той час як в транзисторі npn, база-емітерна напруга повинна бути трохи нижче, ніж база-колекторна напруга, щоб перевести транзистор з вимкненого стану у відкрите.
Отже, основні відмінності між транзисторами pnp і npn полягають в полярності струмів і напруг, їх взаємному розташуванні в транзисторі і значеннях напруги для пропуску струму.
Визначення транзистора
Транзистори pnp і npn засновані на відмінностях у використанні різних напівпровідникових матеріалів і типах передачі носіїв заряду. У транзисторі npn електрони відіграють роль малих носіїв заряду, а в транзисторі pnp - дірки.
| Транзистор NPN | Транзистор PNP |
|---|---|
| Використовує індуковані електрони | Використовує індуковані дірки |
| Базовий шар є N-типом | Базовий шар є P-типом |
| Струм бази йде від бази до емітера | Струм бази йде від емітера до бази |
| Підсилювальний знак ( + ) | Підсилювальний знак ( -) |
Транзистори pnp і npn мають свої унікальні характеристики і дозволяють реалізувати різні схеми посилення і комутації, що робить їх необхідними компонентами в електроніці.
Структура PNP-транзистора
PNP-транзистор, також відомий як перехідний транзистор з позитивно-негативним-позитивним типом, має свою унікальну структуру, яка дозволяє йому управляти струмом і посилювати сигнали.
Основна структура PNP-транзистора складається з трьох шарів напівпровідникових матеріалів: емітера, бази і колектора.
| Шар | Опис |
|---|---|
| Емітер | Це найтонший шар транзистора, найближчий до основної структури. Випромінювач зазвичай виготовляється з n-типу напівпровідникового матеріалу. |
| База | Шар бази знаходиться між емітером і колектором. Основа ширша за випромінювач і частково розташована між двома іншими шарами. Зазвичай база виготовляється з p-типу напівпровідникового матеріалу. |
| Колектор | Це найширший шар транзистора і знаходиться найдальше від основної структури. Колектор зазвичай виготовляється з n-типу напівпровідникового матеріалу. |
Структура PNP-транзистора дозволяє емітеру управляти струмом, що проходить через базу і колектор. Коли напруга подається на базу, виникає електричне поле, яке призводить до зміни провідності бази. Це дозволяє контролювати струм, що проходить через колектор, і використовувати транзистор для посилення сигналів або інших завдань.
Розуміння структури PNP-транзистора важливо для правильного використання та підключення цього типу транзисторів.
Структура транзистора NPN
НПН-транзистор являє собою тришаровий напівпровідниковий пристрій, що складається з трьох областей: емітера, бази і колектора. Кожна з цих областей має своє призначення і виконує певні функції в роботі транзистора.
1. Емітер: Випромінювач-це область N-типу (негативна провідність) і є джерелом носіїв заряду (електронів) для транзистора. Емітер грає роль "джерела" або "живлення" для носіїв заряду в транзисторі.
2. База: База знаходиться між випромінювачем і колектором і є областю P-типу (позитивна провідність). База контролює протікання струму між емітером і колектором. При подачі струму на базу, електрони з емітера починають вільно протікати через базу до колектора.
3. Колектор: Колектор-це область N-типу і служить для збору електронів, що протікають через базу. Колектор притягує і збирає електрони, які протікають через базу, і відводить їх від транзистора.
Використання NPN-транзисторів дозволяє створювати підсилювачі з високим підсилювальним коефіцієнтом і використовувати їх в різних електронних пристроях, таких як підсилювачі звуку, радіоприймачі, телевізори і т. д.