Транзистор HBR16200 є одним з найбільш поширених польових транзисторів, який широко використовується в різних електронних пристроях, таких як комп'ютери, принтери, телевізори та інші. Хоча він невеликого розміру, він має високу продуктивність та ефективність.
Однією з основних характеристик HBR16200 є його максимальна потужність, що становить 200 ват. Це дозволяє цьому транзистору працювати з високими струмами та забезпечує стабільну роботу пристрою протягом тривалого часу. Також варто зазначити його низький рівень шуму та мале споживання енергії в режимі очікування.
Цоколівка транзистора HBR16200 виконана за стандартом TO-220AB, що дозволяє легко і швидко підключити його до схеми пристрою. Усередині корпусу транзистора знаходяться три основні компоненти: діелектрична середа для запобігання короткого замикання, обмежувач струму та біполярний транзистор.Транзистор HBR16200 має високу надійність і довговічність та є ідеальним вибором для будь-яких електронних пристроїв. Його унікальні характеристики та переваги роблять його незамінним компонентом у сучасних технологіях.Що таке транзистор HBR16200?Основні характеристики HBR16200:Максимальне допустиме напруження колектора (VCEO): 200 ВМаксимальний допустимий колекторний струм (IC): 16 АМаксимальна потужність в режимі перемикання (PD): 150 ВтМаксимальна робоча частота перемикання (fT): 3 МГцСтупінь підсилення біполярного транзистора (hFE): від 30 до 300Транзистор HBR16200 має класичну цоколівку TO-220, що забезпечує зручне підключення до електричних схем та покращує тепловідведення. Він може бути використаний у різних схемотехнічних рішеннях, таких як електронні стабілізатори напруги, блоки живлення, інвертори та інші пристрої, що потребують управління великою потужністю.Основні переваги транзистора HBR16200:Висока комутаційна здатність та ефективність роботи.Низьке опір переходів та низьке значення теплового опору.Висока надійність та довговічність в експлуатації.Зручна установка та обслуговування завдяки стандартному роз’єму.У заключенні, транзистор HBR16200 - це надійний і потужний компонент, який дозволяє створювати ефективні та стабільні електронні схеми з значними потужностями. Він широко застосовується в різних галузях, де потрібно управляти великими струмами та напругами.Основні характеристикитранзистора HBR16200Основні характеристики транзистора HBR16200 включають:Тип корпусу: TO-247Максимальна напруга колектор-емітер: 200 ВМаксимальний струм колектора: 16 АМаксимальна потужність втрат: 200 ВтМаксимальна робоча температура: +150 °CСерія: HBRТранзистор HBR16200 має низький внутрішній опір, що дозволяє йому працювати з високими струмами та ефективно відводити тепло. Він має високу надійність і тривалий термін служби.Важливо відзначити, що при використанні транзистора HBR16200 необхідно дотримуватись рекомендацій по монтажу і підключенню, щоб уникнути перегріву і пошкоджень. Рекомендується використовувати радіатор охолодження для оптимальної роботи транзистора.Переваги використання транзистора HBR16200Транзистор HBR16200 пропонує ряд значнихпереваг, які роблять його ідеальним вибором для різноманітних електронних застосувань.1. Висока надійність: HBR16200 виготовлений з високоякісних матеріалів із використанням передових технологій виробництва, що забезпечує надійну роботу транзистора протягом тривалого часу.2. Висока ефективність: Завдяки своїй конструкції та унікальним характеристикам, HBR16200 має високу ефективність, що дозволяє йому забезпечувати стабільну та енергоефективну роботу системи.3. Широкий діапазон робочих температур: HBR16200 здатний працювати в широкому діапазоні робочих температур, що робить його придатним для застосування в різних кліматичних умовах.4. Низьке споживання енергії: HBR16200 має низьке споживання енергії, що важливо для мобільних пристроїв та інших застосувань, де потрібно довге.час автономної роботи.5. Легка установка та обслуговування: HBR16200 має зручну колодку, що полегшує його встановлення та обслуговування в електронних пристроях.Таким чином, використання транзистора HBR16200 дозволяє отримати надійну та ефективну роботу електронних схем і систем.