Транзистор КТ825 - це напівпровідниковий пристрій, що використовується в електронних схемах і пристроях. Він є одним з найпоширеніших транзисторів в світі завдяки своїм відмінним технічним характеристикам і універсальності. Транзистор КТ825 забезпечує посилення електричних сигналів, а також може служити ключовим елементом для регулювання і перемикання струму.
Особливістю транзистора КТ825 є його низький опір включення і виключення, що дозволяє використовувати його в високочастотних схемах і пристроях. Завдяки цій особливості транзистор забезпечує швидке і точне регулювання електричного сигналу. Крім того, транзистор КТ825 володіє низьким рівнем шуму і високою стабільністю роботи.
Специфікації транзистора КТ825 включають в себе наступні параметри: максимальну потужність, максимальний колекторний струм, Максимальна напруга колектор-емітер, коефіцієнт посилення по струму і рівень теплової стабільності. Транзистор КТ825 може працювати в широкому діапазоні температур і тривалий час зберігати свої технічні характеристики.
Транзистор КТ825 знайшов широке застосування в різних електронних пристроях і схемах, таких як радіоапаратура, стабілізатори напруги, підсилювачі звуку і багато інших. Завдяки своїм високим технічним характеристикам і надійності, транзистор КТ825 є основним елементом багатьох електронних систем і здатний забезпечити високу якість сигналу і надійну роботу пристрою.
Призначення і область ЗАСТОСУВАННЯ
Транзистор КТ825 призначений для використання в різних електронних пристроях, де потрібне посилення або перемикання електричних сигналів.
Один з основних способів застосування транзистора КТ825 - посилення аналогових і цифрових сигналів в радіоелектроніці. Він може бути використаний в радіоприймачах, телевізорах, аудіопідсилювачі та інших аудіо - і відеопристроях.
Транзистор КТ825 також може використовуватися в схемах управління потужними навантаженнями, такими як електромотори, лампи розжарювання та інші електричні пристрої. Він має високу надійність і здатний витримувати значні струми і напруги.
Транзистор КТ825 має широкий спектр застосування, що робить його корисним компонентом у багатьох областях електроніки та автоматизації процесів.
Типорозмір і конструкція
Транзистор КТ825 відноситься до типового напівпровідникового приладу, який виконаний в пластмасовому корпусі типу то-3 з металевим заднім крилом. Типорозмір транзистора вказує на його габаритні розміри, форму і конструкцію.
Транзистор КТ825 має наступні типорозмірні параметри:
- Довжина - 17 мм;
- Ширина - 10 мм;
- Висота - 6,8 мм.
Корпус транзистора володіє високою тепловою ефективністю, завдяки наявності металевого заднього крила. Це дозволяє ефективно відводити тепло від напівпровідникового елемента і запобігає його перегрів при роботі в умовах підвищеного навантаження.
Електрична характеристика
Транзистор КТ825 володіє наступними електричними характеристиками:
| Характеристика | Значення |
|---|---|
| Максимальне значення колекторного струму (IC) | 10 А |
| Максимальне значення зворотної Напруги колектор-емітер (VCEO) | 30 В |
| Максимальне значення напруги емітер-база (VEBO) | 10 В |
| Максимальне значення струму бази (IB) | 5 А |
| Коефіцієнт посилення по постійному струму (hFE) | від 20 до 60 |
| Максимальна втрата потужності у відкритому стані (Ptot) | 20 Вт |
| Класифікація за тепловими характеристиками | До + 150 ° C |
Рекомендується ознайомитися з електричними характеристиками транзистора КТ825 перед його застосуванням в електронних схемах, щоб гарантувати правильну роботу пристрою.
Максимальні робочі параметри
Транзистор КТ825 володіє наступними максимальними робочими параметрами:
- Максимальне значення Напруги колектор-емітер (Uке) : 40 В
- Максимальне значення струму колектора (Ік): 1 А
- Максимальне значення струму бази (Іб): 0.1 А
- Максимальне значення потужності дисипації (Рт): 0.8 Вт
- Максимальне значення температури переходу p-n (Tj): 150 ° C
- Максимальне значення температури зберігання (Tstg): -55. +150 °C
Ці параметри визначають обмеження, в рамках яких транзистор може надійно функціонувати.
Контролер КТ825 має ряд теплових характеристик, які важливі для правильної роботи пристрою. Теплові характеристики транзистора включають максимально допустиму температуру чіпа, тепловий опір і максимальну потужність.
Максимально допустима температура чіпа (Tjmax) вказує на максимальну температуру, яку чіп транзистора може витримати без пошкоджень. При перевищенні цієї температури можливі збої в роботі пристрою або навіть його вихід з ладу.
Тепловий опір (Rθ) показує, наскільки ефективно транзистор відводить тепло від свого чіпа до навколишнього середовища. Чим менше значення теплового опору, тим краще транзистор справляється з відведенням тепла і менше ймовірність його перегріву. Тепловий опір між чіпом і корпусом транзистора (RθJC) і між корпусом і навколишнім середовищем (RθCS) зазвичай вказуються в даташите.
Максимальна потужність (Pd) визначає максимальну кількість енергії, яку транзистор може поглинати без перегріву. Якщо потужність перевищує вказане значення, чіп транзистора може перегрітися і вийти з ладу. Максимальна потужність зазвичай вказується при певній температурі, наприклад, при 25 °C або при максимально допустимій температурі чіпа.
Теплові характеристики транзистора КТ825 представлені в таблиці нижче:
| Характеристика | Значення |
|---|---|
| Максимально допустима температура чіпа (Tjmax) | 150 °C |
| Тепловий опір між чіпом і корпусом (RθJC) | 5 °C/W |
| Тепловий опір між корпусом і навколишнім середовищем (RθCS) | 45 °C/W |
| Максимальна потужність (Pd) | 30 Вт |
З огляду на ці теплові характеристики, необхідно забезпечити достатнє охолодження транзистора, щоб уникнути його перегріву і пошкоджень при роботі в екстремальних умовах.